Paquete discreto 8-DFN-EP del semiconductor del P-canal 30V de la electrónica de poder del MOSFET AONR21321
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Poder del MOSFET AONR21321
Paquete discreto 8-DFN-EP del semiconductor del P-canal 30V de la electrónica
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 16.5mOhm @ 12A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±25V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1180 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 4.1W (TA), 24W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP (3x3) | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
Descripción general
• La última tecnología avanzada -30V del foso
• RDS bajo (ENCENDIDO)
• Capacidad de gran intensidad
• RoHS y obediente Halógeno-libre
Usos
• Cuaderno CA-en el interruptor de la carga
• Carga/descarga de la protección de la batería
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