AOD508 MOSFET Electrónica de potencia Semiconductor discreto Canal N 30V 50W Paquete de montaje en superficie TO-252
Number modelo:AOD508
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Shenzhen China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
AOD508 MOSFET Electrónica de potencia
Semiconductor discreto Canal N 30 V 50 W Paquete de montaje en superficie TO-252
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,2 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 49 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2010 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | A-252 (DPAK) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
Descripción general
• La última tecnología MOSFET de potencia de trinchera de 30 V
• RDS muy bajo (encendido) a 10VGS
• Carga de puerta baja
• Capacidad de alta corriente
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
Aplicaciones
• Convertidores CC/CC en Informática
• Convertidores CC/CC aislados en telecomunicaciones e industria
Por qué comprar con nosotros >>> Rápido / Seguro / Conveniente
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electrónicos. Nuestras sucursales incluyen China, Hong Kong,
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AOD508 MOSFET Electrónica de potencia Semiconductor discreto Canal N 30V 50W Paquete de montaje en superficie TO-252
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