AO3406 MOSFET Power Electronics Semiconductor discreto N-Channel 30V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3
Number modelo:AO3406
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de potencia MOSFET AO3406
Semiconductor discreto Canal N de 30 V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.6A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,5 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 210 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 1,4 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
Descripción general
El AO3406 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ON) y una carga de compuerta baja.Este dispositivo es adecuado para usar como interruptor de carga o en aplicaciones PWM
A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en una placa FR-4 de 1in2 con 2oz.Cobre, en un ambiente de aire quieto con TA =25°C.El valor en cualquier aplicación determinada depende del diseño de placa específico del usuario.
B. La disipación de potencia PD se basa en TJ(MAX)=150°C, usando ≤ 10s de resistencia térmica de la unión al ambiente.
C. Clasificación repetitiva, ancho de pulso limitado por la temperatura de unión TJ(MAX)=150°C.Las clasificaciones se basan en baja frecuencia y ciclos de trabajo para mantener la TJ inicial = 25 °C
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AO3406 MOSFET Power Electronics Semiconductor discreto N-Channel 30V para uso como paquete de interruptor de carga SOT-23-3
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