AONS66920 MOSFET Power Electronics N-Channel 100V 17.5A AlphaSGT TM Paquete de alta velocidad 8-DFN
Number modelo:AONS66920
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
AONS66920 MOSFET Electrónica de potencia
Canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM Paquete de alta velocidad 8-DFN
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8,2 mOhm a 20 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,5 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 50 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500 pF a 50 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 5 W (Ta), 56,5 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
Descripción general
• Tecnología Trench Power AlphaSGT™
• RDS bajo (ON)
• Conducción de nivel lógico
• Excelente producto QG x RDS(ON) (FOM)
• Proceso optimizado Skipe
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
Aplicaciones
• Conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Resumen del producto
- VDS 100V
- identificación (en VGS=10V) 48A
- RDS (ENCENDIDO) (a VGS = 10 V) < 8,2 mΩ
- RDS (ENCENDIDO) (a VGS = 4,5 V) < 10,7 mΩ
Por qué comprar con nosotros >>> Rápido / Seguro / Conveniente
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calidad.
• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido,
conveniente y seguro al comprador global.
AONS66920 MOSFET Power Electronics N-Channel 100V 17.5A AlphaSGT TM Paquete de alta velocidad 8-DFN
Carro de la investigación
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