Paquete SOT-23-3 del soporte de la superficie del canal N 30 V de los MOSFETs de los FETs de la electrónica de poder del MOSFET AO3418 solo
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET AO3418
Solo paquete SOT-23-3 del soporte de la superficie del canal N 30 V de los MOSFETs de los FETs
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 60mOhm @ 3.8A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1.8V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3,2 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±12V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 270 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 1.4W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Paquete/caso |
Descripción general
El AO3418 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes del gat tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM.
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