Fuentes de alimentación resonantes del modo del canal N del paquete de la electrónica de poder del MOSFET IRF100S201 PG-TO263-3

Number modelo:IRF100S201
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Shenzhen China
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Electrónica de potencia MOSFET IRF100S201

Paquete PG-TO263-3 Fuentes de alimentación de modo resonante de canal N


Tipo FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
4,2 mOhm a 115 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
255 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9500 pF a 50 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
441W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja

Solicitud



 Aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas
 Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC
 Circuitos alimentados por batería
 Topologías de medio puente y puente completo
 Aplicaciones de rectificadores síncronos
 Fuentes de alimentación en modo resonante
 Interruptores de alimentación OR-ing y redundantes
 Convertidores CC/CC y CA/CC
 Inversores CC/CA


Beneficios


 Robustez mejorada de puertas, avalanchas y dV/dt dinámicas
 Capacitancia completamente caracterizada y Avalancha SOA
 Capacidad mejorada de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt
 Sin plomo, compatible con RoHS, sin halógenos


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Fuentes de alimentación resonantes del modo del canal N del paquete de la electrónica de poder del MOSFET IRF100S201 PG-TO263-3

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