IRF3710STRLPBF MOSFET Power Electronics Paquete D2PAK Tecnología de proceso avanzada
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IRF3710STRLPBF MOSFET Power Electronics Paquete D2PAK Tecnología de proceso avanzada
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 130 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3130 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 200W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje |
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El D2Pak es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de
acomodar tamaños de matriz de hasta HEX-4.Proporciona la capacidad
de potencia más alta y la resistencia de encendido más baja posible
en cualquier paquete de montaje en superficie existente.El D2Pak es
adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja
resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una
aplicación típica de montaje en superficie.La versión de orificio
pasante (IRF3710L) está disponible para aplicaciones de bajo
perfil.
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