Puerta protegida canal N 100V 20A los 24m del paquete de la electrónica de poder del MOSFET FDMC86102 Power33
Number modelo:FDMC86102
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Detalles del producto
Puerta protegida canal N 100V 20A los 24m del paquete de la electrónica de poder del MOSFET FDMC86102 Power33
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 965 PF @ 50 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.3W (TA), 41W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | Power33 | |
Paquete/caso |
Descripción general
Este MOSFET de N−Channel se produce usando el proceso avanzado del POWERTRENCH de los onsemi que incorpora tecnología protegida de la puerta. Este proceso se ha optimizado para la resistencia del on−state pero mantener funcionamiento que cambiaba superior.
Características
• Tecnología protegida del MOSFET de la puerta
• RDS máximo (encendido) = 24 m en VGS = 10 V, identificación = 7A
• RDS máximo (encendido) = 38 m en VGS = 6 V, identificación = 5 A
• − del perfil bajo 1 milímetro de máximo en el poder 33
• El 100% UIL probado
• Este dispositivo es Pb−Free, haluro libre y es RoHS obediente
Usos
• Conversión de DC−DC
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electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore,
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Puerta protegida canal N 100V 20A los 24m del paquete de la electrónica de poder del MOSFET FDMC86102 Power33
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