Paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FCD2250N80Z TO-252AA MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II del canal N
Number modelo:FCD2250N80Z
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de FCD2250N80Z
MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II del canal N del paquete de TO-252AA
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 260µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 585 PF @ 100 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 39W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete/caso |
Características
• 1,8 Typ del RDS (encendido) =.)
• Carga ultrabaja de la puerta (tipo. Qg = 11 nC)
• Eoss bajo (tipo. 1,1 uJ @ 400V)
• Capacitancia de salida eficaz baja (tipo. Coss (efectividad) = 51
PF)
• La avalancha 100% probó
• RoHS obediente
• El ESD mejoró usos de la capacidad
• CA - fuente de corriente continua • Iluminación del LED
Descripción
El MOSFET de SuperFET® II es la familia de alto voltaje a estrenar
del MOSFET del estupendo-empalme del semiconductor de Fairchild
(SJ) que está utilizando la tecnología de la balanza de la carga
para la en-resistencia baja excepcional y un funcionamiento más
bajo de la carga de la puerta. Esta tecnología se adapta para
minimizar pérdida de la conducción, proporcionar funcionamiento que
cambia superior, tarifa de dv/dt y una energía más alta de la
avalancha. Por lo tanto, el MOSFET de SuperFET II es muy
conveniente para los usos del poder que cambian tales como
adaptador del audio, del ordenador portátil, iluminación, poder de
ATX y usos industriales del poder.
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Paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FCD2250N80Z TO-252AA MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II del canal N
Carro de la investigación
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