La electrónica de poder del MOSFET FDS4685 8-SOIC empaqueta usos de la gestión del poder del P-canal 40V
Number modelo:FDS4685
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Detalles del producto
La electrónica de poder del MOSFET FDS4685 8-SOIC empaqueta usos de la gestión del poder del P-canal 40V
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 27mOhm @ 8.2A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1872 PF @ 20 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.5W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete/caso |
Características
■– 8,2 A, – 40 V RDS (ENCENDIDO) = 0,027 Ω @ VGS = – 10 V RDS
(ENCENDIDO) = 0,035 Ω @ VGS = – 4,5 V
■Velocidad que cambia rápida
■Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el
RDS bajo (ENCENDIDO)
■Poder más elevado y capacidad de dirección actual
Usos
■Gestión del poder
■Interruptor de la carga
■Protección de la batería
Descripción general
Este MOSFET del P-canal es una versión rugosa de la puerta EN del
proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor. Ha sido
optimizado para los usos de la gestión del poder que requieren una
amplia gama de grados del voltaje de la impulsión de la puerta
(4.5V – 20V).
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