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Electrónica de poder del MOSFET de FQT4N20LTF
Lastres electrónicos de la lámpara de la fuerza de la alta energía del canal N del paquete SOT-223-4
Y tipo | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 5,2 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 310 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 | |
Paquete/caso |
Este MOSFET del poder del modo del aumento del canal N se produce usando la raya planar propietaria de Fairchild Semiconductor® y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del en-estado, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, la corrección de factor de poder activo (PFC), y los lastres electrónicos de la lámpara.
Características
• 0,85 A, 200 V, Ω =1.35 del RDS (encendido) (tipo.) @VGS=10 V,
ID=0.425 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 4 nC) • Crss bajo (tipo. 6 PF)
• 100% MOSFET probado avalancha 200 V, 0,85 A, del ® del canal N QFET descripción 1,40 del Ω
• Impulsión baja Requirments de la puerta permitiendo la operación directa de impulsiones de la lógica.
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