Interruptor de la carga del nivel 60V de la lógica del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDC5614P SuperSOT™-6
Number modelo:FDC5614P
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de FDC5614P
Interruptor de la carga del nivel 60V de la lógica del P-canal del paquete SuperSOT™-6
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 105mOhm @ 3A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 759 PF @ 30 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 1.6W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SuperSOT™-6 | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
Descripción
Este MOSFET de 60 V P−Channel utiliza el proceso de alto voltaje
del POWERTRENCH de los onsemi. Se ha optimizado para el poder
usos de la gestión.
Características
• −3 A, −60 V
* RDS (encendido) = 0,105 @ VGS = −10 V
* RDS (encendido) = 0,135 @ VGS = −4.5 V
• Velocidad que cambia rápida
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el
RDS bajo (encendido)
• Esto es un dispositivo libre de Pb−Free y del haluro
Usos
• Convertidores de DC−DC
• Interruptor de la carga
• Poder Managemen
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Interruptor de la carga del nivel 60V de la lógica del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDC5614P SuperSOT™-6
Carro de la investigación
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