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FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adecuado para fuentes de alimentación conmutadas
PowerTrench de canal N
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 53 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1080 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 43W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220F-3 | |
Paquete / Caja |
Características
• 19 A, 200 V, RDS (encendido) = 170 mΩ (máx.) @ VGS = 10 V,
ID = 9,5 A
• Carga de compuerta baja (típ. 40,5 nC)
• Low Crss (típ. 85 pF)
• 100 % probado contra avalanchas
Descripción
Este MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N se produce
utilizando la tecnología DMOS y de banda plana patentada de
Fairchild Semiconductor.Esta avanzada tecnología MOSFET se ha
diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo
y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una
alta fuerza de energía de avalancha.Estos dispositivos son
adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección
activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para
lámparas.