Ordenadores portátiles de PowerTrench®in del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Number modelo:FDS6675BZ
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Detalles del producto
Ordenadores portátiles de PowerTrench®in del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±25V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2470 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.5W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete/caso |
Descripción general
Este MOSFET del P-canal es el usar producted EN el proceso avanzado
de PowerTrench del semiconductor que tiene
adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los
usos que cambian de la carga comunes en ordenadores portátiles
y baterías portátiles.
Características
RDS máximo (encendido) = 13mΩ en VGS = -10V, identificación = -11A
RDS máximo (encendido) = 21.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación =
-9A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 5,4 kilovoltios de típico
(nota 3)
Hnology técnico del foso del alto rendimiento para extremadamente -
el rDS bajo (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente
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electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore,
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Ordenadores portátiles de PowerTrench®in del P-canal del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
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