FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder
Number modelo:FDD3672
Lugar del origen:Original
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 28mOhm @ 44A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1710 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 135W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN el semiconductor FDD3672 - MOSFET del poder del canal N
El FDD3672 es un MOSFET del poder del canal N manufacturado cerca EN el semiconductor. Ofrece la disipación de poder excelente, la carga baja de la puerta y la velocidad que cambia rápida.
Características:
• voltaje de avería de la dren-fuente 100V
• Corriente continua máxima del dren de 10.2A
• Carga baja de la puerta: Qg = 16nC típico
• Resistencia máxima del en-estado de la dren-fuente de 0.48Ω
• Energía interna de la avalancha clasificada en EAS = 7.3mJ
• Temperatura de empalme de funcionamiento máxima de 175°C
• Carga media de la puerta: Qg = 16nC típico
• Velocidad que cambia rápida: TD (encendido) = 10ns típico
• Paquete sin plomo, RoHS-obediente
Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente
del >>>
• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.
Cómo comprar >>>
• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
• La charla en línea, la comisión sería respondida CUANTO ANTES.
>>> del servicio
• El envío del promotor al comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no necesita preocuparse de problema de envío
• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
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FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder
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