FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder

Number modelo:FDD3672
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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FDD3672 - Transistor del MOSFET del poder más elevado para los usos avanzados de la electrónica de poder

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
28mOhm @ 44A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1710 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete/caso
 
 

Anuncio del producto:

EN el semiconductor FDD3672 - MOSFET del poder del canal N

El FDD3672 es un MOSFET del poder del canal N manufacturado cerca EN el semiconductor. Ofrece la disipación de poder excelente, la carga baja de la puerta y la velocidad que cambia rápida.

 

Características:
• voltaje de avería de la dren-fuente 100V
• Corriente continua máxima del dren de 10.2A
• Carga baja de la puerta: Qg = 16nC típico
• Resistencia máxima del en-estado de la dren-fuente de 0.48Ω
• Energía interna de la avalancha clasificada en EAS = 7.3mJ
• Temperatura de empalme de funcionamiento máxima de 175°C
• Carga media de la puerta: Qg = 16nC típico
• Velocidad que cambia rápida: TD (encendido) = 10ns típico
• Paquete sin plomo, RoHS-obediente

 

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