Electrónica de poder del MOSFET del poder más elevado de FDD86102LZ Usos industriales y usos automotrices de alto voltaje

Number modelo:FDD86102LZ
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Shenzhen China
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Usos industriales de la electrónica de poder del MOSFET del poder más elevado de FDD86102LZ y usos automotrices de alto voltaje

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1540 PF @ 50 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
3.1W (TA), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete/caso
 
 

Anuncio del producto:

EN el MOSFET del poder del canal N del semiconductor FDD86102LZ

EN el semiconductor FDD86102LZ es un MOSFET de alto rendimiento del poder del canal N. Ofrece la en-resistencia baja para los usos que cambian de gran eficacia.

 

Características:
• En-resistencia baja
• Velocidad que cambia rápida
• Alta capacidad actual máxima
• El alto voltaje soporta capacidad
• RoHS obediente

 

Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente: 100 V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20 V
• Drene actual: 75 A
• En-resistencia de la Dren-fuente: mΩ 4,2
• Carga de la puerta: 45 nC
• Disipación de poder: 320 W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

 

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