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Usos industriales de la electrónica de poder del MOSFET del poder más elevado de FDD86102LZ y usos automotrices de alto voltaje
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 22.5mOhm @ 8A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1540 PF @ 50 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 3.1W (TA), 54W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN el MOSFET del poder del canal N del semiconductor FDD86102LZ
EN el semiconductor FDD86102LZ es un MOSFET de alto rendimiento del poder del canal N. Ofrece la en-resistencia baja para los usos que cambian de gran eficacia.
Características:
• En-resistencia baja
• Velocidad que cambia rápida
• Alta capacidad actual máxima
• El alto voltaje soporta capacidad
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente: 100 V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20 V
• Drene actual: 75 A
• En-resistencia de la Dren-fuente: mΩ 4,2
• Carga de la puerta: 45 nC
• Disipación de poder: 320 W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C