Poder que cambia variable del funcionamiento de la transferencia del canal N del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT7N10LTF TO-261-4
Number modelo:FQT7N10LTF
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Detalles del producto
Poder que cambia variable del funcionamiento de la transferencia del canal N del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT7N10LTF TO-261-4
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 290 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 | |
Paquete/caso |
Descripción
Este MOSFET del poder del modo del aumento del canal N se produce
usando la raya planar propietaria del semiconductor de Fairchild y
la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha
adaptado especialmente para reducir resistencia del en-estado, y
para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta
fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son
convenientes para control las fuentes de alimentación del modo, el
amplificador audio, de motor cambiados de DC, y los usos variables
del poder que cambian.
Características
• 1,7 A, 100 V, mΩ =350 del RDS (encendido) (máximo) @VGS=10 V,
ID=0.85 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 5,8 nC)
• Crss bajo (tipo. 10 PF) • La avalancha 100% probó
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