Fuerza de la energía del canal N QFET del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4
Number modelo:FQT1N60CTF-WS
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Detalles del producto
Fuerza de la energía del canal N QFET del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 11.5Ohm @ 100mA, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6,2 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 170 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.1W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 | |
Paquete/caso |
Descripción
Este MOSFET del poder del modo del aumento de N−Channel es el usar producido EN la raya planar propietaria del semiconductor y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del on−state, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, la corrección de factor de poder activo (PFC), y los lastres electrónicos de la lámpara.
Características
• 0,2 A, 600 V, RDS (encendido) = 9,3 (tipo.) @ VGS = 10 V,
identificación = 0,1 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 4,8 nC)
• Crss bajo (tipo. 3,5 PF)
• La avalancha 100% probó
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son
RoHS obediente
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electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore,
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