Fuerza de la energía del canal N QFET del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4

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Fuerza de la energía del canal N QFET del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
11.5Ohm @ 100mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
6,2 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
170 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Paquete/caso

 

 

 

 

Descripción

 

Este MOSFET del poder del modo del aumento de N−Channel es el usar producido EN la raya planar propietaria del semiconductor y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del on−state, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, la corrección de factor de poder activo (PFC), y los lastres electrónicos de la lámpara.

 


Características

 

• 0,2 A, 600 V, RDS (encendido) = 9,3 (tipo.) @ VGS = 10 V, identificación = 0,1 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 4,8 nC)
• Crss bajo (tipo. 3,5 PF)
• La avalancha 100% probó
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

 

 

 

 

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