MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder
Number modelo:NTMFS4C025NT1G
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET NTMFS 4C025NTdel poder1G para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 3.41mOhm @ 30A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.1V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1683 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.55W (TA), 30.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
Nombre de producto: NTMFS4C025NT1G
Fabricante: EN el semiconductor
Tipo de producto: Electrónica de poder del MOSFET
Parámetros:
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 25V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): 20V
• Drene la corriente (identificación): 4A
• En-resistencia estática de la Dren-fuente (Rds): 0.0055ohm
• Disipación de poder (paladio): 2.25W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Montaje: SMD/SMT
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