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Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 128mOhm @ 2.8A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 395 PF @ 75 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.2W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223-4 | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN electrónica de poder del Mosfet del semiconductor FDT86244
Descripción:
EN el semiconductor FDT86244 es un dispositivo de gran eficacia, de baja potencia de la electrónica de poder del MOSFET diseñado para entregar rendimiento superior en una amplia gama de usos. Ofrece una frecuencia que cambia de alta velocidad con la carga baja de la puerta y la en-resistencia baja. Es conveniente para los usos de alta potencia tales como control de motor, conversión de DC-DC, y gestión del poder.
Características:
• En-resistencia baja: 0.086mΩ típico
• Transferencia de alta velocidad: 4.5V/ns típico
• Carga baja de la puerta: 7nC típico
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Voltaje máximo de la dren-fuente: 100V
• Corriente máxima del dren: 100A
• Paquete: TO-220, TO-220F, TO-247, TO-247AD, TO-252, y D2PAK