Transferencia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET FDT86244 y conversión de alta potencia

Number modelo:FDT86244
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
 
Transferencia de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET FDT86244 y conversión de alta potencia
 
 
Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
128mOhm @ 2.8A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
395 PF @ 75 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.2W (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Paquete/caso

 

 

Anuncio del producto:

EN electrónica de poder del Mosfet del semiconductor FDT86244

Descripción:

EN el semiconductor FDT86244 es un dispositivo de gran eficacia, de baja potencia de la electrónica de poder del MOSFET diseñado para entregar rendimiento superior en una amplia gama de usos. Ofrece una frecuencia que cambia de alta velocidad con la carga baja de la puerta y la en-resistencia baja. Es conveniente para los usos de alta potencia tales como control de motor, conversión de DC-DC, y gestión del poder.

Características:
• En-resistencia baja: 0.086mΩ típico
• Transferencia de alta velocidad: 4.5V/ns típico
• Carga baja de la puerta: 7nC típico
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Voltaje máximo de la dren-fuente: 100V
• Corriente máxima del dren: 100A
• Paquete: TO-220, TO-220F, TO-247, TO-247AD, TO-252, y D2PAK

 

 

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