Batería que extiende de la eficacia del P-canal de la electrónica de poder del MOSFET de NTGS3455T1G
Number modelo:NTGS3455T1G
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Shenzhen China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Batería que extiende de la eficacia del ElectronicsP-canal del poder del MOSFET de NTGS3455T1G
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 100mOhm @ 3.5A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 480 PF @ 5 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 500mW (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete/caso |
Características
• RDS ultrabajo (encendido)
• Vida de batería de una eficacia que extiende más alta
• Paquete superficial miniatura del soporte TSOP−6
• El paquete de Pb−Free está disponible
Usos
• Gestión del poder en productos portátiles y de Battery−Powered,
es decir:
Celular y teléfonos inalámbricos, y tarjetas de PCMCIA
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Batería que extiende de la eficacia del P-canal de la electrónica de poder del MOSFET de NTGS3455T1G
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