Electrónica de poder del MOSFET de FDPF18N20FT – alto rendimiento que cambia En-resistencia baja y la operación da alta temperatura
Number modelo:FDPF18N20FT
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de FDPF18N20FT – alto rendimiento
que cambia En-resistencia baja y la operación da alta temperatura
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 140mOhm @ 9A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1180 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 41W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F-3 | |
Paquete/caso |
Electrónica de poder del MOSFET de FDPF18N20FT EN del semiconductor
Descripción de producto:
El FDPF18N20FT es un de alta velocidad, MOSFET del poder EN del semiconductor. Se diseña para proporcionar excelente rendimiento en una amplia gama de usos, incluyendo la conversión de alta frecuencia de la transferencia y de poder. El dispositivo ofrece una estructura integrada del MOSFET de PowerTrench y una tecnología de envasado avanzada.
Características:
• En-resistencia baja
• Transferencia de alta velocidad
• Funcionamiento termal excelente
• Protección robusta del ESD
• Pb-libre y RoHS obedientes
Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente: 20V
• En-resistencia de la Dren-fuente: 0.39Ω
• Carga de la puerta: 17nC
• Voltaje de atajo de la Dren-fuente: 0.35V
• Voltaje de la Puerta-fuente: 5.5V
• Corriente máxima del dren: 25A
• Disipación de poder máxima: 200W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C
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