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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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25mOhm @ 6.3A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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15 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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570 PF @ 15 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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1.6W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SuperSOT™-6
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ElBN de FDC 655 es un MOSFET del poder del canal N del semiconductor de Fairchild, contenido en un paquete SOT-23-6. Ofrece una en-resistencia baja de 0,04 Ω, un voltaje bajo del umbral de 1,0 V, y una alta corriente continua del dren de 2,5 A. ElBN de FDC 655 ofrece funcionamiento que cambia superior con una velocidad que cambia rápida, y es conveniente para una amplia gama de usos.
Este dispositivo se diseña con una temperatura de empalme máxima del°C 150 y un voltaje de avería clasificado de la dren-fuente de 30V. Tiene una capacitancia baja entre la puerta y la fuente, dando por resultado pérdidas que cambian bajas y eficacia mejorada. ElBN de FDC 655 es ideal para el uso en usos con pilas, pues su consumo de poca intensidad permite que amplíe la vida de batería. Es también ideal para el uso en sistemas de gestión del poder y otros usos que cambian de alta velocidad.
ElBN de FDC 655 es RoHS obediente y ofrece características de protección integradas tales como protección de la sobretensión, protección de la sobreintensidad de corriente, y protección del cortocircuito. También tiene una característica de protección de recalentamiento incorporada. ElBN de FDC 655 es una elección excelente para las soluciones de alto rendimiento, confiables, y rentables del poder.
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