Electrónica de poder de alto voltaje de alto rendimiento del MOSFET del canal N FCH072N60 para la eficacia de conversión optimizada de poder
Number modelo:FCH072N60
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Electrónica de poder de alto voltaje de alto rendimiento del MOSFET
del canal N FCH072N60 para la eficacia de conversión optimizada de
poder
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 72mOhm @ 26A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 5890 PF @ 380 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 481W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
FCH072N60
Fabricante: EN el semiconductor
Parámetros:
Tipo: MOSFET del canal N
Vdss (voltaje de la Dren-fuente): 600V
Identificación (corriente continua del dren): 72A
Rds (en resistencia): 0.08Ω
Vgs (voltaje de la Puerta-fuente): ±20V
Qg (carga de la puerta): 55nC
Paladio (disipación de poder máxima): 300W
Paquete: TO-247AC
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