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Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1.21mOhm @ 50A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 190µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | +20V, -16V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4960 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 4.3W (TA), 136.4W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HPSOF | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN el MOSFET del poder del semiconductor FDBL9406-F085T6
• Diseño robusto y En-resistencia baja
• temperatura de empalme 175°C
• Carga baja de la puerta
• Tecnología rugosa de la avalancha
• Transferencia rápida
• El 100% probado para el voltaje del umbral de la puerta
• El 100% probado para la En-resistencia
• RoHS obediente
• Halógeno libre
• 200V valoró voltaje de avería de la Dren-fuente
• Impedancia baja de la puerta
• Diodo rápido del cuerpo
• El ESD protegió
• Capacitancia de salida baja
• Canal N dual
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual