Dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET del modo del aumento del canal N del semiconductor FDBL86066-F085 de Fairchild
Number modelo:FDBL86066-F085
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen China
Dirección:
1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Semiconductor FDBL 86066 de Fairchild - dispositivode la electrónica de poder del MOSFET del modo del aumento del canal N de F085
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3240 PF @ 50 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 300W (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HPSOF | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
Nombre de producto: FDBL86066-F085
Fabricante: EN el semiconductor
Tipo de producto: Electrónica de poder del MOSFET
Max Continuous Drain Current: 8.5A
Max Drain Source Voltage: 60V
Rds en (máximo) @ la identificación: 2.2mOhm @ 10A
Paquete/caso: 8-DFLA
Montaje del tipo: A través del agujero
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Dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET del modo del aumento del canal N del semiconductor FDBL86066-F085 de Fairchild
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