Usos de la amplificación de la transferencia de la solución del transistor TO-236-3 del MOSFET del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de NTR4003NT1G
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Electrónica de poder del MOSFET de NTR4003NT1G
Usos de la amplificación de la transferencia de la solución del transistor TO-236-3 del MOSFET del canal N
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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1.5Ohm @ 10mA, 4V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1.4V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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nC 1,15 @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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21 PF @ 5 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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690mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquete/caso
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El NTR 4003 NT1G es un MOSFET del poder del modo del aumento del P-canal con un paquete TO-236-3. Se diseña para minimizar la resistencia del en-estado y para proporcionar funcionamiento que cambia superior.
El dispositivo tiene un voltaje de funcionamiento de la dren-fuente de -20 V y una corriente continua del dren de -3 A. Es conveniente para el uso en la baja tensión, inversores de alta frecuencia, libera rodar, y usos de la protección de la polaridad. El dispositivo es también RoHS obediente y halógeno libre. El NTR 4003 NT1G se garantiza para proporcionar la operación confiable sobre una gama de temperaturas ancha del °C -55 a +150°C.
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