Transistor de la electrónica de poder del MOSFET del canal N de Fairchild FCP190N60-GF102 para los usos que cambian de alta velocidad

Number modelo:FCP190N60-GF102
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-3 días
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
Fairchild FCP 190N60- transistorde la electrónica de poder del MOSFET del canal N de GF102 para los usos que cambian de alta velocidad
 
 
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
2950 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete/caso

 

 

MOSFET del poder de OnSemi FCP190N60-GF102

Descripción de producto:

El OnSemi FCP190N60-GF102 es un MOSFET del poder del canal N con un voltaje clasificado de 60V, una corriente continua del dren de 190A en 25°C, y un voltaje máximo de la dren-fuente de 500V. El FCP190N60-GF102 se optimiza para la eficacia máxima y tiene una carga baja de la puerta de 20 nC típicos. También ofrece un funcionamiento mejorado del RDS (encendido) de 0.012Ω en 25°C, y una capacidad de dirección de gran intensidad de 1.2A. Además, el FCP190N60-GF102 tiene una temperatura de funcionamiento máximo de 150°C y es conveniente para una amplia gama de usos, tales como convertidores de DC-DC, productos electrónicos de consumo, y usos automotrices.

Características:

• Voltaje clasificado: 60V
• Corriente continua del dren: 190A en 25°C
• Voltaje máximo de la Dren-fuente: 500V
• Carga de la puerta: 20 nC típicos
• RDS (encendido): 0.012Ω en 25°C
• Dirección de gran intensidad: 1

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>
• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.
 
Cómo comprar >>>
• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
• La charla en línea, la comisión sería respondida CUANTO ANTES.
 
>>> del servicio
• El envío del promotor al comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no necesita preocuparse de problema de envío
• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
 

 

 

 

China Transistor de la electrónica de poder del MOSFET del canal N de Fairchild FCP190N60-GF102 para los usos que cambian de alta velocidad supplier

Transistor de la electrónica de poder del MOSFET del canal N de Fairchild FCP190N60-GF102 para los usos que cambian de alta velocidad

Carro de la investigación 0