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Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2950 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 208W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
Paquete/caso |
MOSFET del poder de OnSemi FCP190N60-GF102
Descripción de producto:
El OnSemi FCP190N60-GF102 es un MOSFET del poder del canal N con un voltaje clasificado de 60V, una corriente continua del dren de 190A en 25°C, y un voltaje máximo de la dren-fuente de 500V. El FCP190N60-GF102 se optimiza para la eficacia máxima y tiene una carga baja de la puerta de 20 nC típicos. También ofrece un funcionamiento mejorado del RDS (encendido) de 0.012Ω en 25°C, y una capacidad de dirección de gran intensidad de 1.2A. Además, el FCP190N60-GF102 tiene una temperatura de funcionamiento máximo de 150°C y es conveniente para una amplia gama de usos, tales como convertidores de DC-DC, productos electrónicos de consumo, y usos automotrices.
Características:
• Voltaje clasificado: 60V
• Corriente continua del dren: 190A en 25°C
• Voltaje máximo de la Dren-fuente: 500V
• Carga de la puerta: 20 nC típicos
• RDS (encendido): 0.012Ω en 25°C
• Dirección de gran intensidad: 1