Los usos TO-236-3 de la electrónica de poder del MOSFET de BSS123L empaquetaron el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
Number modelo:BSS123L
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Usos de la electrónica de poder del MOSFET de BSS123L
TO-236-3 empaquetó el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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6Ohm @ 170mA, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 1mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,5 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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21,5 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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360mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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Paquete/caso
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BSS 123L es un MOSFET del poder del modo del aumento del canal N, embalado en el paquete TO-236-3. Se diseña con en-resistencia baja y el funcionamiento que cambia excelente, haciéndolo conveniente para una amplia gama de usos. El MOSFET ofrece una carga optimizada de la puerta y un umbral mejorado del voltaje de la puerta-fuente, que permite un mejor control y eficacia mejorada. También ofrece capacitancias bajas, asegurando pérdidas que cambian bajas.
El paquete es compatible con el proceso superficial del soporte, teniendo en cuenta la integración fácil en tableros u otros usos. Este MOSFET puede manejar de gran intensidad y el voltaje, haciéndolo conveniente para los usos de alta potencia. Es también RoHS obediente, tomándole una decisión respetuosa del medio ambiente y confiable.
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Los usos TO-236-3 de la electrónica de poder del MOSFET de BSS123L empaquetaron el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
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