

Add to Cart
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 5.9mOhm @ 23A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 120µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2040 PF @ 40 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.7W (TA), 100W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
Producto: EN electrónica de poder del MOSFET del semiconductor NTTFS5D9N08HTWG
Parámetros:
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 60 V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Corriente continua del dren (identificación): 8,5 A
• Corriente pulsada del dren (Idm): 17 A
• En-resistencia (Rds): 0,09 ohmios
• Tiempo de subida (tr): 5 ns
• Tiempo de caída (tf): 10 ns
• Temperatura de empalme máxima (Tj): °C 175
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C al °C 175
• Paquete/caso: TO-252-3, DPAK
• Montaje del tipo: Soporte superficial
• Número de pernos: 3
• Marca: EN el semiconductor
• Tipo del transistor: Canal N del MOSFET, óxido de metal
• Polaridad del transistor: Canal N
• Disipación de poder (paladio): W 12,5