Transistor de la electrónica de poder del MOSFET FDD86250 TO-252-3 para la transferencia y Voltage Regulation del poder
Number modelo:FDD86250
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Detalles del producto
Transistor de la electrónica de poder del MOSFET de FDD 86250 TO-252-3 para la transferencia y Voltage Regulation del poder
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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22mOhm @ 8A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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33 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2110 PF @ 75 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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3.1W (TA), 132W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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TO-252AA
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Paquete/caso
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El FDD 86250 es un tres-terminal, transistor del efecto de campo del Metal-Óxido-semiconductor del poder del canal N (MOSFET) diseñado para actuar en una amplia gama de usos que cambian del poder. Se contiene en un paquete TO-252-3, haciéndolo ideal para el uso en acuerdo y sistemas electrónicos del ahorro de espacio. Este MOSFET ofrece un alto grado del voltaje de bloqueo de 600V y una resistencia baja del en-estado de 0,072 ohmios.
Tiene un grado actual del dren continuo de 25A y una corriente máxima del pulso de 78A, haciéndolo conveniente para los usos que cambian de alta potencia. El FDD 86250 también ofrece una velocidad que cambia rápida para la eficacia de sistema aumentada así como una carga baja de la puerta para el consumo de energía reducido. Su diseño avanzado asegura funcionamiento confiable en una amplia gama de condiciones de funcionamiento.
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Transistor de la electrónica de poder del MOSFET FDD86250 TO-252-3 para la transferencia y Voltage Regulation del poder
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