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Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 0,7 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 15,8 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 120mW (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-XLLGA (0.62x0.62) | |
Paquete/caso |
El NTNS 3193 NZT 5G es un dispositivo de alta velocidad de la electrónica de poder del MOSFET del canal N diseñado para el uso en usos que cambian de alta frecuencia. Ofrece una resistencia baja del en-estado, una velocidad que cambia rápida y un alto voltaje de avería para el funcionamiento robusto.
Los 3- el paquete de XFLGA proporciona la gestión termal excelente y un diseño del perfil bajo para la integración fácil en una variedad de usos. El NTNS 3193 NZT 5G es ideal para el uso en usos que cambian de alta velocidad tales como convertidores de DC/DC, fuentes de alimentación, control de motor e iluminación del LED.
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