Electrónica de poder del MOSFET del canal N de FDMS8023S para los usos que cambian 30V 49A de la eficacia alta
Number modelo:FDMS8023S
Lugar del origen:Original
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET del canal N de FDMS8023S para los
usos que cambian 30V 49A de la eficacia alta
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 2.4mOhm @ 26A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 1mA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3550 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.5W (TA), 59W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
Nombre de producto: EN el MOSFET del poder del canal N del semiconductor FDMS8023S
Descripción: El FDMS8023S es un MOSFET del poder del canal N EN del semiconductor. Se diseña para proporcionar resistencia baja del en-estado y velocidad que cambia rápida, e incluye un diodo integrado de la protección de la puerta.
Características:
- Resistencia baja del En-estado
- Velocidad que cambia rápida
- Incluye un diodo integrado de la protección de la puerta
Especificaciones:
- Grado del voltaje: 30V
- Grado actual: 30A
- Disipación de poder: 4.1W
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
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• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
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