NTMFS5C404NLT1G MOSFET Electrónica de potencia 8-PowerTDFN Voltaje MOSFET de potencia de canal N
Number modelo:NTMFS5C404NLT1G
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Detalles del producto
Nuevo TestamentoMETROFS5C404norteLT1GRAMOMETROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónica8-FuerzaTDFnorteMOSFET de potencia de canal N de voltaje
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Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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0,75 mOhm a 50 A, 10 V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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2V @ 250µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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181 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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12168 pF a 25 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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3,2 W (Ta), 167 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquete / Caja
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ElnorteTMFS5C404norteLT1GRAMOesunavanzadofuerzaMETROsistema operativoFhora del EstedeENSémicoonductor.Élesabajo-elreponer,solteronorte-canalmejora-modoMETROsistema operativoFhora del Estealojadoenun8-alfilerFuerzaTDFnortepaquete.EsteMETROsistema operativoFhora del EstetieneamáximodrenarfuenteVoltajede40V,amáximodrenaractualde8A,yamáximodrenar-fuenteen-resolucióndistanciade4metroΩ.
Élesdiseñadoafuncionarenamáximounióntemperaturade150°Cypoderentregaraltoeficienciafuerzagestiónenaanchorangodeaplicaciones,incluidocorriente continua/corriente continuaconvertirters,fuerzasuministros,datosinterruptores,ymotorcontrol.Además,estedispositivocaracterísticasbajopuertacargarybajoaporteyproduccióncapacidaditancia,haciendoélidealparausarenalto-frecuenciatraspuestaaplicaciones.
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NTMFS5C404NLT1G MOSFET Electrónica de potencia 8-PowerTDFN Voltaje MOSFET de potencia de canal N
Carro de la investigación
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