NTMFS4C03NT1G MOSFET Power Electronics 4A Carga de puerta de resistencia ultra baja AECQ101 Canal N único calificado
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NTMFS4C03NT1G MOSFET Electrónica de potencia
4A Carga de compuerta de resistencia ultrabaja AECQ101 Canal N
único calificado
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,1 mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,2 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 45,2 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3071 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 3,1 W (Ta), 64 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquete / Caja |
El NTMFS4C03NT1G es un MOSFET de 20 V (DS) de canal N de paquete de 8 pines PowerTDFN de ON Semiconductor.Está diseñado para aplicaciones de bajo voltaje que requieren conmutación de alta velocidad y baja resistencia.Este dispositivo cuenta con carga de compuerta baja y baja resistencia en estado de fuente de drenaje.Es ideal para aplicaciones como convertidores CC-CC, sistemas alimentados por batería y otras aplicaciones de conmutación.
El NTMFS4C03NT1G es un MOSFET de nivel lógico que proporciona un rendimiento de conmutación superior en aplicaciones de bajo voltaje.Ofrece un bajo RDS (encendido) de 0,0085 Ω y una capacitancia de entrada de 13,4 pF.Este dispositivo cumple con RoHS y también está especificado para funcionar en un rango de temperatura ampliado de -55 °C a +150 °C.
El NTMFS4C03NT1G es una solución ideal para convertidores de CC a CC, sistemas alimentados por batería y otras aplicaciones de conmutación que requieren baja tensión y conmutación rápida.Cuenta con una carga de compuerta baja, baja resistencia en estado de fuente de drenaje y cumple con RoHS.Este dispositivo está especificado para funcionar en un rango de temperatura ampliado de -55 °C a +150 °C.
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NTMFS4C03NT1G MOSFET Power Electronics 4A Carga de puerta de resistencia ultra baja AECQ101 Canal N único calificado
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