Paquete dual del transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de NVTR0202PLT1G 20V 2A TO-236-3

El NVTR 0202 PLT 1G es un transistor vertical del efecto de campo del modo del aumento del P-canal (VFET), que se diseña específicamente para los usos de alta frecuencia, de baja tensión. Este dispositivo se construye usando un proceso altamente confiable del MOSFET, que proporciona resistencia baja del en-estado y funcionamiento que cambia excelente. El dispositivo se contiene en un paquete TO-236-3 y proporciona una gama de baja tensión de la operación de -0,2 V a de -20 V y de un voltaje bajo del umbral de la puerta-fuente de -0,5 V. Es ideal para los circuitos que cambian de alta frecuencia y proporciona capacidad de dirección de gran intensidad. El dispositivo también ofrece eficacia de poder superior, la EMI baja, y la disipación de poder mínima.

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