Amplificación de la transferencia del alto rendimiento del transistor de la electrónica de poder del MOSFET de FDB110N15A TO-263-3
Number modelo:FDB110N15A
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Detalles del producto
FDB 110N15una electrónica de poder del MOSFET
Amplificación de la transferencia del alto rendimiento del
transistor TO-263-3
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 11mOhm @ 92A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4510 PF @ 75 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 234W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | ² PAK (TO-263) DE D | |
Paquete/caso |
El FDB110N15A es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET del canal N manufacturado por el semiconductor de Fairchild. Este dispositivo se contiene en un paquete TO-263-3, que es un pequeño paquete superficie-aumentable que proporciona funcionamiento termal discreto, aumentado.
El FDB110N15A se diseña para entregar poder más elevado en un paquete compacto. Ofrece una en-resistencia baja que permita pérdidas bajas de la conducción, y una carga baja de la puerta que reduzca el cambiar de pérdidas. Además, este dispositivo se diseña para proporcionar velocidades que cambian rápidas y la carga baja de la puerta para la operación eficiente del interruptor.
El FDB110N15A es ideal para el uso en una variedad de usos tales como convertidores de DC/DC, corrección de factor de poder, control de motor, control de la iluminación, y otros usos de alta potencia. Este dispositivo es RoHS obediente y resuelve los estándares de seguridad de la UL y de CSA para la operación confiable.
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