Módulo del transistor del modo del aumento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de FDPF33N25T TO-220-3
Number modelo:FDPF33N25T
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Detalles del producto
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Detalles del producto
FDPF 33N25 módulo del transistor del modo del aumento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET deT TO-220-3
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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94mOhm @ 16.5A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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48 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±30V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2135 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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37W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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TO-220F-3
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Paquete/caso
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Número bajo del producto
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El FDPF 33N25T es un MOSFET embalado TO-220-3 del canal N (transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal) diseñado para los usos que cambian del poder. Este dispositivo ofrece una resistencia baja del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) y un rato que cambia rápido. Es especialmente conveniente para los usos que cambian de alta frecuencia, con una frecuencia de funcionamiento máxima de 5megaciclos. La gama del voltaje de la puerta-fuente (VGS) es a partir de -20 V a +20V, y la gama del voltaje de la dren-fuente (VDS) es a partir 0V a 25V. La disipación de poder máxima es hasta 33W, y la corriente máxima del dren (identificación) es hasta 25A. Este dispositivo es también RoHS obediente y sin plomo, tomándole una decisión ideal para los usos respetuosos del medio ambiente.
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Módulo del transistor del modo del aumento del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de FDPF33N25T TO-220-3
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