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norteJUD3101PIE1GRAMO8-SMDMETROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónicaTransistorparaAlto-FfrecuenciaCambiarEn gAplicaciones
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1,5 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7,4 nC a 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680 pF a 10 V | |
Función FET | Diodo Schottky (aislado) | |
Disipación de energía (máx.) | 1,1 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | ChipFET™ | |
Paquete / Caja |
Listado de productos:
Nombre del producto: Electrónica de potencia MOSFET NTHD3101FT1G
Fabricante: Onsemi
Paquete: 8-SMD
Parámetros:
•VDSS: -30V
•RDS(encendido): 0.006Ω
•DNI: -30A
•Qg: 9nC
•Capacidad de entrada (Ciss): 327pF
•Capacidad de salida (Costo): 35pF
• Frecuencia de transición (pies): 8 GHz
• Corriente de drenaje pulsada (IDM): -60A
•Tensión de umbral (VGS(th)): -2,3 V