P-canal del módulo de electrónica de poder del MOSFET de NTMS4177PR2G 8-SOIC 30 V A 11,4
Number modelo:NTMS4177PR2G
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
NTMS 4177 EMPAREJA 2G 8- el P-canal 30 V del módulo de electrónica de poder del MOSFET de SOIC A 11,4
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 12mOhm @ 11.4A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3100 PF @ 24 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 840mW (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN electrónica de poder del MOSFET del canal N del semiconductor NTMS4177PR2G
Parámetros del producto:
• Paquete: 8-SOIC
• Voltaje de la Dren-fuente: 40V
• Drene actual: 34A
• Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 4,1 mOhm @ 34A, 10V
• Carga de la puerta (Qg) @ Vgs: 15.9nC @ 10V
• Poder – máximo: 5.6W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montaje del tipo: Soporte superficial
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• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
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• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
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P-canal del módulo de electrónica de poder del MOSFET de NTMS4177PR2G 8-SOIC 30 V A 11,4
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