Velocidad del transistor de la electrónica de poder del MOSFET 2N7002L TO-236-3 que cambia usos lineares

Number modelo:2N7002L
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Shenzhen China
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Detalles del producto
2N7002 L velocidad del transistor de la electrónica de poder del MOSFET TO-236-3 que cambia usos lineares

 

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 250µA
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
200mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete/caso
Número bajo del producto

 

 

 

 

Los 2N7002 L es un transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N (FET) en un paquete del metal TO-236-3. Este dispositivo es conveniente para el uso en la transferencia y los usos lineares debido a su punto bajo en resistencia en un máximo de 2,5 ohmios, haciéndola ideal para los usos que cambian de alta velocidad. Es también capaz de soportar altos voltajes de la dren-fuente hasta 20V con una corriente máxima del dren de 500mA. Este FET se diseña para la baja tensión y los usos de poca intensidad, haciéndola conveniente para una variedad de usos automotrices e industriales. Los 2N7002 L ofrece un grado del ESD de hasta 2kilovoltios y una temperatura de funcionamiento máximo de 125°C. El dispositivo es también RoHS obediente y sin plomo, tomándole una decisión confiable y segura para una amplia gama de usos.

 

 

 

 

 

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