Tecnología ultrabaja avanzada de la carga de la puerta del paquete de la electrónica de poder del MOSFET FDBL86062-F085 8-PowerSFN

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Detalles del producto
Poder del MOSFET FDBL86062-F085
Tecnología ultrabaja avanzada de la carga de la puerta del paquete de la electrónica 8-PowerSFN

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
2mOhm @ 80A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
6970 PF @ 50 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
429W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HPSOF
Paquete/caso

 

 

 

 

El FDBL 86062 - F085 es un módulo de electrónica de poder del MOSFET del carburo de silicio (sic) de Infineon Technologies. Estos 8- el módulo de PowerSFN se diseña para proporcionar una solución de pequeñas pérdidas, de gran eficacia para una amplia gama de usos de la conversión de poder, tales como impulsiones del motor, inversores solares y fuentes de alimentación. El dispositivo ofrece una corriente clasificada de 8A, una carga total de la puerta de 7,5 nC, una temperatura de empalme de funcionamiento máxima del°C 175 y un voltaje máximo de la dren-fuente de 650V. El dispositivo es también RoHS obediente y el ESD protegió. El módulo se construye con un paquete robusto para proporcionar funcionamiento termal superior y confiabilidad mejorada. Es una solución confiable, rentable para los usos de alta potencia.

 

 

 

 

 

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