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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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2mOhm @ 80A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4.5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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124 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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6970 PF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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429W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-HPSOF
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Paquete/caso
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El FDBL 86062 - F085 es un módulo de electrónica de poder del MOSFET del carburo de silicio (sic) de Infineon Technologies. Estos 8- el módulo de PowerSFN se diseña para proporcionar una solución de pequeñas pérdidas, de gran eficacia para una amplia gama de usos de la conversión de poder, tales como impulsiones del motor, inversores solares y fuentes de alimentación. El dispositivo ofrece una corriente clasificada de 8A, una carga total de la puerta de 7,5 nC, una temperatura de empalme de funcionamiento máxima del°C 175 y un voltaje máximo de la dren-fuente de 650V. El dispositivo es también RoHS obediente y el ESD protegió. El módulo se construye con un paquete robusto para proporcionar funcionamiento termal superior y confiabilidad mejorada. Es una solución confiable, rentable para los usos de alta potencia.
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