Electrónica de poder del MOSFET de NTGS3443T1G 4,4 amperios 20 voltios de P−Channel TSOP−6

Number modelo:NTGS3443T1G
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Electrónica de poder del MOSFETde NTGS 3443 T1G 4,4 amperios 20 voltios de P−Channel TSOP−6

 

 
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
15 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±12V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
565 PF @ 5 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
500mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP
Paquete/caso

 

Características
• RDS ultrabajo (encendido)
• Vida de batería de una eficacia que extiende más alta
• Paquete superficial miniatura del soporte TSOP−6
• Estos dispositivos son Pb−Free y son RoHS obediente
• Prefijo de NVGS para requerir automotriz y otro de los usos
Requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101
Calificado y PPAP capaces


Usos
• Gestión del poder en productos portátiles y de Battery−Powered,
es decir: Celular y teléfonos inalámbricos, y tarjetas de PCMCIA

 

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Electrónica de poder del MOSFET de NTGS3443T1G 4,4 amperios 20 voltios de P−Channel TSOP−6

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