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Mm20 V 3,6 Adel canal N 2,4 x 2,9 del poder de la electrónica de poder del MOSFET de NTR 3C21NZT 1G SOT-23 solos 1,0 x
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 24mOhm @ 5A, 4.5V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | nC 17,8 @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1540 PF @ 16 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 470mW (TA) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete/caso |
Anuncio del producto:
EN la electrónica de poder del MOSFET del semiconductor NTR3C21NZT1G SOT-23
Características:
• En-resistencia baja
• Capacitancia entrada baja
• Salida entrada y de la salida baja
• Carga baja de la puerta
• Voltaje bajo del umbral
• Protección del ESD
Usos:
• Automotriz
• Gestión de la batería
• Convertidores
• Industrial
• Control de motor
• Gestión del poder del sistema
Especificaciones:
• Paquete: SOT-23
• Configuración: Canal N
• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 30 V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: -0,2 A
• Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 0,0085 ohmios @ 0,2 A,
10 V
• Poder - máximo: 350 mW
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C (TJ)
• Montaje del tipo: Soporte superficial
• Paquete del dispositivo del proveedor: SOT-23
• Paladio - disipación de poder