FDMS039N08B Transistor MOSFET de potencia Alto rendimiento Baja resistencia Carga de puerta ultrabaja Operación de conmutación robusta
Number modelo:FDMS039N08B
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Shenzhen China
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Detalles del producto
DFEM039norte08BFuerzaMETROsistema operativoFhora del EsteTransistorAlto
Rendimiento Resistencia de encendido baja Carga de puerta ultrabaja Operación de conmutación robusta
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Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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3,9 mOhm a 50 A, 10 V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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4,5 V a 250 µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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100 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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7600 pF a 40 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete / Caja
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ElDFEM039norte08Besa100Vnorte-CanalMETROsistema operativoFhora del EstedeJustoniñoSémicoonductor,presentandoamáximodrenarfuenteVoltajede100Vyamáximodrenaractualde39A.Élesdiseñadoparausarenfuerzagestión,cargatraspuesta,yotroaltoVoltajeaplicaciones.Élcaracterísticasabajoen-resolucióndistanciaybajopuertacargar,haciendoéladecuadoparaaltofrecuenciatraspuestaaplicaciones.Éltienearápidotraspuestavelocidadyexcelentetérmicoestabilidad,haciendoéladecuadoparaaltofuerzaaplicaciones.Eldispositivotieneunultra-bajopuertacargaryunultra-bajoenresistencia,permitiendoélafuncionarenaltoeficienciaenaanchorangodetraspuestaaplicaciones.ÉlesdisponibleenaA-220lleno-embalarpaquete.
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FDMS039N08B Transistor MOSFET de potencia Alto rendimiento Baja resistencia Carga de puerta ultrabaja Operación de conmutación robusta
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