Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L
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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7.9mOhm @ 13.5A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4550 PF @ 30 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.3W (TA), 40W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP (3.3x3.3) | |
Paquete/caso |
El FDMC86520L es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento diseñado para proporcionar confiabilidad máxima y eficacia en una amplia gama de usos. Este dispositivo ofrece una estructura de baja tensión avanzada del foso y una resistencia baja del en-estado para aumentar la disipación de la eficacia y de poder. Su carga baja de la puerta y voltaje bajo del umbral hacerlo ideal para los usos de alta frecuencia.
El dispositivo está disponible en un pequeño paquete del factor de forma, haciéndolo ideal para los usos espacio-obligados. Es también RoHS-obediente y ofrece un grado de alta temperatura para la confiabilidad creciente. Este dispositivo es conveniente para el uso en una variedad de usos, incluyendo fuentes de alimentación que cambian, los convertidores de gran eficacia de DC-DC, y el control de motor.
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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L
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