FDMS86101 MOSFET Power Electronics Dispositivo semiconductor altamente confiable de alto rendimiento Tecnología de paquete avanzada
Number modelo:FDMS86101
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
DFEM86101METROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónica
Tecnología de paquete avanzado de dispositivo semiconductor altamente confiable de alto rendimiento
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Estado del producto
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Activo
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Tipo FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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8mOhm @ 13A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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4V @ 250µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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55 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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3000 pF a 50 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete / Caja
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