Punto bajo de la eficacia de poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de NTMFS5C460NLT1G 8-PowerTDFN en fuentes del modo del interruptor de la resistencia

NTMFS 5C460A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG

punto bajo de la eficacia de poder más elevado 8-PowerTDFN en fuentes del modo del interruptor de la resistencia

El NTMFS5C460NLT1G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET del canal N manufacturado cerca EN el semiconductor. Se diseña para proporcionar soluciones de gran intensidad de la gestión de la transferencia y del poder en una amplia gama de usos. El dispositivo se contiene en un paquete 8-PowerTDFN, que ofrece un perfil bajo y es ideal para los usos espacio-obligados. Su tecnología de proceso avanzada ofrece rápidamente cambiar y la en-resistencia baja para una eficacia más alta, los apagones reducidos y el funcionamiento de sistema total mejorado.

El NTMFS5C460NLT1G ofrece un diodo interno de la protección del ESD, que proporciona la protección contra la descarga electrostática (ESD) y mejora la confiabilidad del dispositivo. Su configuración de la fuente común y voltaje bajo del umbral hacerlo conveniente para cambiar, el nivel desplazando y señalar usos del condicionamiento.

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