Solución confiable TO-236-3 de la fuente de alimentación del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de FDN338P
Number modelo:FDN338P
Lugar del origen:Original
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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Detalles del producto
Solución confiable TO-236-3 de la fuente de alimentación del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de FDN338P
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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115mOhm @ 1.6A, 4.5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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6,2 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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451 PF @ 10 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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500mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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Paquete/caso
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El FDN 338P es un MOSFET de alta potencia del aumento-modo del canal N con un paquete TO-236-3. Se diseña para la baja tensión, usos que cambian de gran intensidad, de alta velocidad. Ofrece resistencia baja del en-estado, la operación de alta frecuencia y el poder bajo de la impulsión de la puerta. Con un voltaje de avería de la dren-fuente de 100V, este MOSFET puede manejar un voltaje de salida de hasta 80V. La capacidad de gran intensidad del FDN 338P permite que apoye usos de la eficacia alta y de la densidad de poder. Las velocidades que cambian rápidas del MOSFET y de la alta impedancia de entrada permitir la operación de alta velocidad y pérdidas que cambian bajas. El paquete TO-236-3 proporciona una huella del ahorro de espacio para el MOSFET, haciéndola conveniente para los usos de alta densidad. El FDN 338P es conveniente para el uso en automotriz, industrial, y aplicaciones de consumidor.
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