Usos del alto rendimiento del transistor del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3

Number modelo:NTR5198NLT1G
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1 - 3 días
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

NTR 5198 A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG

Usos del alto rendimiento del transistor del paquete TO-236-3

 

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
155mOhm @ 1A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
2,8 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
182 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
900mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete/caso

 

 

 

 

 

Este NTR 5198 A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG es 3- paquete del perno TO-236-3. Ofrece eficacia alta y en-resistencia baja mientras que actúa en una baja tensión. Es conveniente para los usos tales como interruptores, conductores del motor y conductores del solenoide. Este dispositivo tiene un alto voltaje de avería de 30V, que proporciona un de alto nivel de la protección para el sistema. También tiene una carga optimizada de la puerta para la pérdida reducida de la conducción y el funcionamiento que cambia mejorado. El dispositivo es un MOSFET del canal N optimizado para los usos que cambian de la baja tensión. Es RoHS obediente y se ofrece en un paquete sin plomo. Este dispositivo es ideal para la transferencia de alta frecuencia y puede actuar en las frecuencias hasta 10megaciclos.

 

 

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>



• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.
 


Cómo comprar >>>



• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
• La charla en línea, la comisión sería respondida CUANTO ANTES.
 


>>> del servicio
 


• El envío del promotor al comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no necesita preocuparse de problema de envío
• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.

 

 

 

Usos del alto rendimiento del transistor del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3

 

 

China Usos del alto rendimiento del transistor del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3 supplier

Usos del alto rendimiento del transistor del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3

Carro de la investigación 0