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NTR 5198 A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG
Usos del alto rendimiento del transistor del paquete TO-236-3
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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155mOhm @ 1A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2.5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,8 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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182 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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900mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquete/caso
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Este NTR 5198 A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG es 3- paquete del perno TO-236-3. Ofrece eficacia alta y en-resistencia baja mientras que actúa en una baja tensión. Es conveniente para los usos tales como interruptores, conductores del motor y conductores del solenoide. Este dispositivo tiene un alto voltaje de avería de 30V, que proporciona un de alto nivel de la protección para el sistema. También tiene una carga optimizada de la puerta para la pérdida reducida de la conducción y el funcionamiento que cambia mejorado. El dispositivo es un MOSFET del canal N optimizado para los usos que cambian de la baja tensión. Es RoHS obediente y se ofrece en un paquete sin plomo. Este dispositivo es ideal para la transferencia de alta frecuencia y puede actuar en las frecuencias hasta 10megaciclos.
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